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RJK6013DPP-E0#T2

本文是瑞萨电子美国公司的RJK6013DPP-E0#T2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Renesas Electronics America

类别：消费电子 >音频和家庭影院系统 >条形音箱 >MOSFET >

主要规格参数:

包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：11A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：700 毫欧 @ 5.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：37.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1450pF @ 25V
功率-最大值：30W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220FP

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