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UPA2690T1R-E2-AX

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2690T1R-E2-AX的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：

厂商：Renesas Electronics America

类别：消费电子 >手机设备与其它移动设备 >智能电话 >Power MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道互补型
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A，3A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：42 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：4.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：330pF @ 10V
功率-最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

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