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UPA2672T1R-E2-AX

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2672T1R-E2-AX的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：

厂商：Renesas Electronics America

类别：消费电子 >手机设备与其它移动设备 >智能电话 >Power MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 P 沟道（双）
FET功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：67 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：486pF @ 10V
功率-最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

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