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UPA2630T1R-E2-AX

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2630T1R-E2-AX的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Renesas Electronics America

类别：计算机 >存储 >Power MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压（Vdss）：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：59 毫欧 @ 3.5A，1.8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：11.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1260pF @ 10V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-HUSON（2x2）

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