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CSD16570Q5B

本文是德州仪器的CSD16570Q5B的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Texas Instruments

类别：计算机 >存储 >Efuse/Hot Swap Protection >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：NexFET™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：100A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：0.59 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.9V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：250nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：14000pF @ 12V
功率-最大值：3.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-TDFN
供应商器件封装：8-VSON（5x6）

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