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HAT1048R-EL-E

本文是瑞萨电子美国公司的HAT1048R-EL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：

厂商：Renesas Electronics America

类别：智能制造 >自动化与控制系统 >人机界面 >Power MOSFET >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：16A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7 毫欧 @ 8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：105nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：5700pF @ 10V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP

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