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AO3418

本文是万国半导体元件有限公司的AO3418的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.8A（Ta）；

厂商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

类别：分立半导体产品 >FET - 单 >

主要规格参数:

包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.8A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：60 毫欧 @ 3.8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：3.2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：270pF @ 15V
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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