IXFN180N25T特性,参数,购买_IXFN180N25T元件说明书下载-中电网

中电网移动|移动中电网

数据中心
IXFN180N25T特性,参数,购买_IXFN180N25T元件说明书下载-中电网

全部应用 > 分立半导体产品 >FET - 模块 > IXFN180N25T

IXFN180N25T

本文是IXYS的IXFN180N25T的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：管件；系列：GigaMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：250V；

厂商：IXYS

类别：分立半导体产品 >FET - 模块 >

主要规格参数:

包装：管件
系列：GigaMOS™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：250V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：168A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：12.9 毫欧 @ 60A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 8mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：345nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：28000pF @ 25V
功率-最大值：900W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

PDF查看下载