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IXFN200N10P

本文是IXYS的IXFN200N10P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 模块。具体规格参数如下：包装：管件；系列：Polar™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；

厂商：IXYS

类别：分立半导体产品 >FET - 模块 >

主要规格参数:

包装：管件
系列：Polar™
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：200A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：7.5 毫欧 @ 500mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 8mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：235nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：7600pF @ 25V
功率-最大值：680W
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B

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