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全部应用 > 分立半导体产品 >FET - 阵列 > ALD110808ASCL

ALD110808ASCL

本文是美国先进线性电子器件公司的ALD110808ASCL的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；系列：EPAD®；FET类型：4 N 沟道，配对；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：10.6V；

厂商：Advanced Linear Devices Inc

类别：分立半导体产品 >FET - 阵列 >

主要规格参数:

包装：管件
系列：EPAD®
FET类型：4 N 沟道，配对
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：10.6V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：12mA，3mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：500 欧姆 @ 4.8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：810mV @ 1µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2.5pF @ 5V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC

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