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HGT1N30N60A4D

本文是飞兆半导体公司的HGT1N30N60A4D的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。具体规格参数如下：配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：96A；功率-最大值：255W；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，30A；

厂商：Fairchild Semiconductor

类别：分立半导体产品 >IGBT - 模块 >

主要规格参数:

系列：-
IGBT类型：-
配置：单一
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：96A
功率-最大值：255W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，30A
电流-集电极截止（最大值）：250µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：-
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227

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