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全部应用 > 分立半导体产品 >IGBT - 阵列 > IXA40PG1200DHGLB

IXA40PG1200DHGLB

本文是IXYS的IXA40PG1200DHGLB的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 阵列。具体规格参数如下：IGBT类型：PT；配置：半桥；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：63A；功率-最大值：230W；

厂商：IXYS

类别：分立半导体产品 >IGBT - 阵列 >

主要规格参数:

系列：-
IGBT类型：PT
配置：半桥
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：63A
功率-最大值：230W
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.15V @ 15V，35A
电流-集电极截止（最大值）：150µA
不同Vce时的输入电容（Cies）：-
输入：标准
NTC热敏电阻：无
安装类型：表面贴装
封装/外壳：9-SMD 模块
供应商器件封装：ISOPLUS-SMPD™.B

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