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ESM3030DV

本文是意法半导体公司的ESM3030DV的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管 - 模块。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：NPN - 达林顿；电流-集电极（Ic）（最大值）：100A；电压-集射极击穿（最大值）：300V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 2.4A，85A；

厂商：STMicroelectronics

类别：分立半导体产品 >晶体管 - 模块 >

主要规格参数:

包装：管件
系列：-
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）：100A
电压-集射极击穿（最大值）：300V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 2.4A，85A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 85A，5V
功率-最大值：225W
频率-跃迁：-
安装类型：底座安装
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：ISOTOP®

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