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MAT12AHZ

本文是亚德诺半导体的MAT12AHZ的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：2 NPN（双）配对；电流-集电极（Ic）（最大值）：20mA；电压-集射极击穿（最大值）：40V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：200mV @ 100µA，1mA；

厂商：Analog Devices Inc

类别：分立半导体产品 >晶体管（BJT） - 阵列 >

主要规格参数:

包装：管件
系列：-
晶体管类型：2 NPN（双）配对
电流-集电极（Ic）（最大值）：20mA
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：200mV @ 100µA，1mA
电流-集电极截止（最大值）：500pA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
功率-最大值：-
频率-跃迁：200MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-78-6 金属罐
供应商器件封装：TO-78-6

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