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厂商 包装系列晶体管类型电压-集射极击穿(最大值)频率增益频率-跃迁噪声系数(dB,不同f时的典型值)电压-测试额定电流功率-最大值噪声系数不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值)电流-测试功率-输出电流-集电极(Ic)(最大值)安装类型电压-额定封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
NE552R679A-T1A-A NE552R679A-T1A-A CEL IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
NE5531079A-T1A-A NE5531079A-T1A-A CEL FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A
NE5531079A-T1-A NE5531079A-T1-A CEL FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
NE5550779A-A NE5550779A-A CEL IC FET LDMOS 30V 0.6A 79A-PKG
NE552R679A-A NE552R679A-A CEL IC RF LDMOS FET 3V 79A PKG
NE5531079A-A NE5531079A-A CEL FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A
NE55410GR-T3-AZ NE55410GR-T3-AZ CEL MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP
NE55410GR-AZ NE55410GR-AZ CEL MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3520S03-A NE3520S03-A CEL FET RF HFET 20GHZ 2V 10MA S03
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02
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