中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > FET - 单

厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
1... 10051006100710081009101010111012101310141015 1054
PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
IRFBC20STRL IRFBC20STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
IRFBC20STRR IRFBC20STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
IRFBC30AL IRFBC30AL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
IRFBC30ASTRL IRFBC30ASTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30ASTRR IRFBC30ASTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRL IRFBC30STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRR IRFBC30STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC40AL IRFBC40AL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
IRFBC40ASTRL IRFBC40ASTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40ASTRR IRFBC40ASTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40LCL IRFBC40LCL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
IRFBC40LCS IRFBC40LCS Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40LCSTRL IRFBC40LCSTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40LCSTRR IRFBC40LCSTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40STRL IRFBC40STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40STRR IRFBC40STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBE20L IRFBE20L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
IRFBE20S IRFBE20S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
IRFBE20STRL IRFBE20STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
IRFBE20STRR IRFBE20STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
1... 10051006100710081009101010111012101310141015 1054