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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 42.5A SO-8
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 42.5A SO-8
SI4752DY-T1-GE3 SI4752DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 25A SO-8
SQ2319ES-T1-GE3 SQ2319ES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
SQ2319ES-T1-GE3 SQ2319ES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
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