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厂商 包装系列IGBT类型电压-集射极击穿(最大值)电流-集电极(Ic)(最大值)脉冲电流-集电极(Icm)不同Vge,Ic时的Vce(on)功率-最大值开关能量输入类型栅极电荷25°C时Td(开/关)值测试条件反向恢复时间(trr)封装/外壳安装类型供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
RGT8BM65DTL RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 8A 62W TO-252
RGT8BM65DTL RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 8A 62W TO-252
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 16A 94W TO-263S
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 16A 94W TO-263S
RGT16NS65DGTL RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 16A 94W TO-263S
RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RGT30NS65DGTL RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RGTH40TS65GC11 RGTH40TS65GC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 144W TO-247N
RGT60TS65DGC11 RGT60TS65DGC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 55A 194W TO-247N
RGTH50TS65GC11 RGTH50TS65GC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 50A 174W TO-247N
RGT80TS65DGC11 RGT80TS65DGC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 70A 234W TO-247N
RGTH00TS65GC11 RGTH00TS65GC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 8A 65W TO-263S
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 8A 65W TO-263S
RGT8NS65DGTL RGT8NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 8A 65W TO-263S
RGTH40TS65DGC11 RGTH40TS65DGC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 144W TO-247N
RGT40TS65DGC11 RGT40TS65DGC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 144W TO-247N
RGT40NS65DGTL RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 161W TO-263S
RGT40NS65DGTL RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 161W TO-263S
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