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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压（Vdss）电流-连续漏极（Id）（25°C时）不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）不同Id时的Vgs（th）（最大值）不同Vgs时的栅极电荷（Qg）不同Vds时的输入电容（Ciss）功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
DMN10H120SFG-13 DMN10H120SFG-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SOIC
DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 3.4A 8POWERDI
DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 3.4A 8POWERDI
DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 3.4A 8POWERDI
DMP3017SFK-7 DMP3017SFK-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
DMP3017SFK-7 DMP3017SFK-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
DMP3017SFK-7 DMP3017SFK-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
DMN30H14DLY-13 DMN30H14DLY-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
DMN30H14DLY-13 DMN30H14DLY-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
DMN30H14DLY-13 DMN30H14DLY-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
DMN6013LFG-7 DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
ZVN3320A ZVN3320A Diodes Incorporated MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
DMP4015SSS-13 DMP4015SSS-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 9.1A SO-8
DMP4015SSS-13 DMP4015SSS-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 9.1A SO-8
DMP4015SSS-13 DMP4015SSS-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 9.1A SO-8
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
DMN4008LFG-7 DMN4008LFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
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