中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > FET - 单

厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压（Vdss）电流-连续漏极（Id）（25°C时）不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）不同Id时的Vgs（th）（最大值）不同Vgs时的栅极电荷（Qg）不同Vds时的输入电容（Ciss）功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
1... 8081828384858687888990 1054
PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
DMP6023LE-13 DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
DMP6023LE-13 DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
DMP6023LE-13 DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
DMP6023LE-13 DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
DMP6023LE-13 DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
DMP6023LE-13 DMP6023LE-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
ZXMP2120E5TA ZXMP2120E5TA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5
ZXMP2120E5TA ZXMP2120E5TA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5
ZXMP2120E5TA ZXMP2120E5TA Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223
ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223
ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223
DMP4015SK3-13 DMP4015SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
DMP4015SK3-13 DMP4015SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
1... 8081828384858687888990 1054

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099