中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > FET - 阵列

厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
1... 248249250251252253254255256257258 274
PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SI7844DP-T1-E3 SI7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
SI7911DN-T1-E3 SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
SI7911DN-T1-E3 SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
SI7945DP-T1-E3 SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
SI7945DP-T1-E3 SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
SI7945DP-T1-E3 SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
SI7964DP-T1-E3 SI7964DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
SI7964DP-T1-E3 SI7964DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
SI7964DP-T1-E3 SI7964DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
SI7983DP-T1-E3 SI7983DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
SI7983DP-T1-E3 SI7983DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
SI7983DP-T1-E3 SI7983DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
SI8901EDB-T2-E1 SI8901EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP
SI8901EDB-T2-E1 SI8901EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP
SI8901EDB-T2-E1 SI8901EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP
SI8904EDB-T2-E1 SI8904EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
SI8904EDB-T2-E1 SI8904EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
SI8904EDB-T2-E1 SI8904EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
SI9926BDY-T1-E3 SI9926BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
SI9926BDY-T1-E3 SI9926BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
1... 248249250251252253254255256257258 274