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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压（Vdss）电流-连续漏极（Id）（25°C时）不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）不同Id时的Vgs（th）（最大值）不同Vgs时的栅极电荷（Qg）不同Vds时的输入电容（Ciss）功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
EPC2102ENG EPC2102ENG EPC TRANS GAN SYM 60V BUMPED DIE
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN SYM 60V BUMPED DIE
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN SYM 60V BUMPED DIE
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN SYM 60V BUMPED DIE
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
EPC2103ENG EPC2103ENG EPC TRANS GAN SYM 80V BUMPED DIE
EPC2105ENG EPC2105ENG EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE
FDG6303N FDG6303N Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
FDG6303N FDG6303N Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
FDG6303N FDG6303N Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
2N7002DW 2N7002DW Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
2N7002DW 2N7002DW Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
2N7002DW 2N7002DW Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
FDY3000NZ FDY3000NZ Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
FDY3000NZ FDY3000NZ Fairchild Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
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