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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2312BDS-T1-E3 SI2312BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
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