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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SI2328DS-T1-E3 SI2328DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2328DS-T1-E3 SI2328DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
SI2316DS-T1-E3 SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI1499DH-T1-E3 SI1499DH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI1499DH-T1-E3 SI1499DH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI1499DH-T1-E3 SI1499DH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
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