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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
SI2328DS-T1-E3 SI2328DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
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