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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
BSM120D12P2C005 BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM180D12P2C101 BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE