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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
VS-FB190SA10 VS-FB190SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
VS-FC220SA20 VS-FC220SA20 Vishay Semiconductor Diodes Division MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
FB180SA10 FB180SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
FA38SA50LC FA38SA50LC Vishay Semiconductor Diodes Division MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
FA57SA50LC FA57SA50LC Vishay Semiconductor Diodes Division MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227
19MT050XF 19MT050XF Vishay Semiconductor Diodes Division MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP