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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压（Vdss）电流-连续漏极（Id）（25°C时）不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）不同Id时的Vgs（th）（最大值）不同Vgs时的栅极电荷（Qg）不同Vds时的输入电容（Ciss）功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
BS870-7-F BS870-7-F Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
BS870-7-F BS870-7-F Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
DMN62D0LFD-7 DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
DMN62D0LFD-7 DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
DMN62D0LFD-7 DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
DMN2400UFB4-7 DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
DMN2400UFB4-7 DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
DMN2400UFB4-7 DMN2400UFB4-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
DMP2004K-7 DMP2004K-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
DMP2004K-7 DMP2004K-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
DMP2004K-7 DMP2004K-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
DMN3065LW-13 DMN3065LW-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
DMN3065LW-13 DMN3065LW-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
DMN3065LW-13 DMN3065LW-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
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