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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI2334DS-T1-GE3 SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
SI2334DS-T1-GE3 SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
SI2334DS-T1-GE3 SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
2N7002E-T1-E3 2N7002E-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
2N7002-T1-E3 2N7002-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
SI8461DB-T2-E1 SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
SI8461DB-T2-E1 SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
SI8461DB-T2-E1 SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
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