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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
SQ1421EEH-T1-GE3 SQ1421EEH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
SQ1421EEH-T1-GE3 SQ1421EEH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
SQ1421EEH-T1-GE3 SQ1421EEH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
SIA448DJ-T1-GE3 SIA448DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
SIA448DJ-T1-GE3 SIA448DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
SIA448DJ-T1-GE3 SIA448DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
SI8483DB-T2-E1 SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
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