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厂商 包装系列FET类型FET功能漏源极电压(Vdss)电流-连续漏极(Id)(25°C时)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)不同Id时的Vgs(th)(最大值)不同Vgs时的栅极电荷(Qg)不同Vds时的输入电容(Ciss)功率-最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
VQ1006P VQ1006P Vishay Siliconix MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
VQ1006P-E3 VQ1006P-E3 Vishay Siliconix MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
VQ2001P VQ2001P Vishay Siliconix MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
VQ3001P-E3 VQ3001P-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
VQ1001P-2 VQ1001P-2 Vishay Siliconix MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
VQ1006P-2 VQ1006P-2 Vishay Siliconix MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
VQ2001P-2 VQ2001P-2 Vishay Siliconix MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
SI4511DY-T1-E3 SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI4511DY-T1-E3 SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI1016X-T1-E3 SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
SI1016X-T1-E3 SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
SI1016X-T1-E3 SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
SI1023X-T1-E3 SI1023X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
SI1023X-T1-E3 SI1023X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
SI1023X-T1-E3 SI1023X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
SI1024X-T1-E3 SI1024X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
SI1024X-T1-E3 SI1024X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
SI1024X-T1-E3 SI1024X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
SI1025X-T1-E3 SI1025X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
SI1025X-T1-E3 SI1025X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
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